Samsung vừa chính thức công bố kế hoạch sản xuất chip trên quy trình 2nm, 3nm & 4nm của mình trong những năm tiếp theo tại Sự kiện Samsung Foundry Forum 2021.
Trong sự kiện Samsung Foundry Forum 2021 vừa diễn ra trực tuyến hôm nay, Samsung cuối cùng đã công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt chip bán dẫn trên quy trình 2nm, 3nm & 4nm trong những năm tiếp theo nhằm thúc đẩy chuyển độ công nghệ xử lý nhanh hơn và hiệu hiệu quả hơn, vốn đang có nhu cầu rất lớn sau đại dịch COVID-19.
Công ty Hàn Quốc cho biết rằng họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt chip dựa trên quy trình 4nm. Samsung Foundry cũng tiết lộ rằng họ sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt chip bán dẫn dựa trên quy trình 3nm vào nửa đầu năm 2022. Quy trình 3nm của công ty sư dụng thiết kế (Gate All Around) với MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) để giảm 35% diện tích đóng gói, tăng hiệu suất hơn 30% và tiêu thụ điện năng thấp hơn 50% so với quy trình 5nm EUV của hãng.
Công ty cũng tiết lộ rằng năng suất sản xuất của quy trình 3nm của họ đã đạt mức 4nm. Quy trình 3nm thế hệ 2 của Samsung sẽ sẵn sàng để sản xuất hàng loạt vào năm 2023. Samsung cũng cho biết gần đây họ đã thêm nút quy trình 2nm vào lộ trình của mình và hiện nó đang được phát triển. Công ty dự kiến năm 2025 thì có thể bắt đầu sản xuất hàng loạt chip bán dẫn 2nm. Đây là lần đầu tiên Samsung nói về quy trình 2nm và nó giống như một phiên bản tối ưu hoá của nút quy trình 3nm.
Công ty cũng tiết lộ rằng họ đang liên tục cải thiện nút quy trình FinFET của mình. Nút quy trình FinFET 17nm của hãng sử dụng kiến trúc bóng bán dẫn 3D để giảm tới 43% diện tích khuôn, hiệu suất cao hơn 39% hoặc tăng 49% hiệu suất năng lượng so với nút quy trình 28nm. Samsung cũng đang cải tiến quy trình 14nm của mình với điện áp cao 3.3V hoặc eMRAM để cải thiện tốc độ và mật độ ghi. Nó có thể được sử dụng để sản xuất IoT, MCU (Bộ điều khiển vi mô) và chip cho sản phẩm có thể đeo được nhu smartwatch.
Nền tảng RF (tần số vô tuyến) 8nm của công ty Hàn Quốc có thể mở rộng vị trí dẫn đầu của công ty trong thị trường 5G trong các ứng dụng sóng dưới 6GHz và mmWave.
