Theo một nguồn tin uy tín từ Hàn Quốc, Samsung đang phát triển bộ nhớ HBM cho smartphone nhằm tăng tốc khả năng xử lý AI trên thiết bị (AI on-device).
Thế giới đang trong giai đoạn phát triển cực thịnh của AI, và Samsung nổi tiếng trong việc là nhà sản xuất chip nhớ HBM cho các máy chủ AI của những ông lớn. Và theo một nguồn tin từ Hàn Quốc (ETNews) thì Samsung đang phát triển bộ nhớ HBM cho smartphone nhằm tăng tốc khả năng xử lý AI trên thiết bị (AI on-device).
Cụ thể, Samsung Electronics đang phát triển công nghệ Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP) kết hợp với cấu trúc xếp chồng cột đồng thẳng đứng (VCS). Mục tiêu là triển khai HBM dung lượng cao, băng thông rộng trong các thiết bị di động như điện thoại thông minh và máy tính bảng. Mặc dù HBM dành cho máy chủ đã cung cấp băng thông cao, nhưng các thiết bị di động phải đối mặt với những hạn chế nghiêm ngặt hơn nhiều về kích thước, độ dày, mức tiêu thụ điện năng và khả năng sinh nhiệt.
Công nghệ đóng gói bộ nhớ di động truyền thống (LPDDR) sử dụng phương pháp nối dây đồng. Công nghệ này có những hạn chế, chẳng hạn như số lượng đầu cuối I/O hạn chế (128–256), tổn thất tín hiệu đáng kể, khả năng sinh nhiệt thấp và hiệu suất năng lượng kém. Để giải quyết những vấn đề này, Samsung Electronics trước đây đã giới thiệu công nghệ VCS, bao gồm việc xếp chồng các chip DRAM theo từng bước và lấp đầy chúng bằng các trụ đồng. Công nghệ mới này đại diện cho một mô hình đưa công nghệ lên một tầm cao mới bằng cách sử dụng các trụ đồng có tỷ lệ chiều cao/chiều rộng cực cao.
Samsung Electronics đã tăng đáng kể tỷ lệ chiều cao/chiều rộng của các trụ đồng được sử dụng trong bao bì VCS từ tỷ lệ hiện tại 3–5:1 lên 15–20:1, nhờ đó mở rộng băng thông. Tuy nhiên, khi các trụ đồng trở nên mỏng hơn 10 micromet đường kính, nguy cơ bị uốn cong hoặc gãy tăng lên; để bù đắp cho điều này, công ty đã áp dụng một phương pháp kết hợp quy trình FOWLP. FOWLP là một công nghệ mở rộng dây dẫn ra ngoài sau khi đúc chip, hoạt động như một giá đỡ cho các trụ đồng.
Việc sử dụng phương pháp này cho phép đặt nhiều đầu cuối I/O hơn trong cùng một không gian, giúp cải thiện băng thông từ 15–30% và cho phép số lượng ngăn xếp bộ nhớ nhiều hơn 1,5 lần. Vì công nghệ này vẫn đang trong giai đoạn phát triển, nên rất khó để xác định thời gian cụ thể cho việc sản xuất hàng loạt hoặc thương mại hóa. Tuy nhiên, dự kiến công nghệ này có thể được giới thiệu sớm nhất là ở các phiên bản sau của Exynos 2800 hoặc Exynos 2900. Lộ trình công nghệ này được xem là bằng chứng cho thấy Samsung Electronics đã tập trung vào các công nghệ giá trị cao, chú trọng hiệu năng và độ ổn định cho mảng kinh doanh bộ nhớ của mình, thay vì các giải pháp chi phí thấp và hiệu quả cao. Ngành công nghiệp tin rằng sự vượt trội về công nghệ trong HBM di động sẽ là yếu tố then chốt quyết định thị phần trong tương lai của điện thoại thông minh AI cao cấp và sự thành công trong việc tạo sự khác biệt cho Galaxy AI.
Tuy nhiên, một số ý kiến cho rằng tốc độ phát triển và sản xuất hàng loạt HBM di động có thể bị chậm lại so với lộ trình đã lên kế hoạch, vì nhu cầu về HBM trong các lĩnh vực như máy chủ, trung tâm dữ liệu và bộ tăng tốc AI dự kiến sẽ vẫn mạnh mẽ trong thời gian tới. Vì vậy, các nhà sản xuất như Samsung có thể sẽ tập trung việc triển khai việc cung cấp HBM cho các lĩnh vực khác, thay vì smartphone/tablet như nguồn tin trên.
