Samsung, nhà sản xuất chip lớn nhất thế giới đã tạo ra nguyên mẫu chip nhớ v-NAND 900 lớp đầu tiên trên thế giới.
Samsung, nhà sản xuất chip lớn nhất thế giới đã tạo ra nguyên mẫu chip nhớ v-NAND 900 lớp đầu tiên trên thế giới. Trong bối cảnh sự phát triển của AI đang thúc đẩy nhu cầu khổng lồ đối với bộ nhớ flash DRAM và NAND, Samsung một lần nữa đang cố gắng chứng minh vị thế dẫn đầu của mình trong công nghệ bộ nhớ bán dẫn.
Theo một báo cáo từ ETNews, Samsung đã phát triển thành công nguyên mẫu chip nhớ flash V-NAND 900 lớp đầu tiên trên thế giới. Nguyên mẫu này được cho là sử dụng công nghệ gọi là Cell Multi-Bonding (CMB), công nghệ này kết hợp hai tấm wafer tế bào 450 lớp thành một chip duy nhất. Việc xếp chồng nhiều lớp flash NAND giúp cải thiện mật độ lưu trữ đồng thời giảm mức tiêu thụ điện năng. Các cấu trúc xếp chồng mật độ cao như vậy ngày càng được coi là có lợi cho các tác vụ tính toán AI.
SK Hynix hiện được coi là công ty dẫn đầu trong phân khúc lưu trữ NAND nhiều lớp với chip NAND 321 lớp của mình. Tuy nhiên, Samsung dường như đang ở vị thế mạnh khi đồng thời chuẩn bị cho việc sản xuất hàng loạt chip flash NAND thế hệ thứ mười 400 lớp, trong khi vẫn đạt được cột mốc 900 lớp trong giai đoạn nghiên cứu.
Samsung là công ty đầu tiên trên thế giới thương mại hóa chip flash 3D V-NAND vào năm 2013. Ban đầu, công ty sử dụng quy trình sản xuất bao gồm khoan và xếp chồng các lỗ siêu nhỏ trong một bước duy nhất.
Tuy nhiên, khi chiều cao xếp chồng tăng lên, Samsung được cho là đã gặp phải những thách thức như cong vênh wafer và sai lệch xếp chồng. Báo cáo cho rằng công ty đã giải quyết những vấn đề đó bằng cách sử dụng thiết kế Upper Chuck tiên tiến và công nghệ Overlay Correction.
Samsung cũng được cho là đã cải thiện cấu trúc Bitline (BL) và Wordline (WL), giảm đáng kể cả mức tiêu thụ điện năng và kích thước chip.
Trong khi đó, công ty Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) của Trung Quốc đang nhanh chóng thu hẹp khoảng cách với Samsung và SK Hynix trên thị trường flash NAND. YMTC đã bắt đầu sản xuất hàng loạt chip NAND 294 lớp, được hỗ trợ bởi nguồn đầu tư đáng kể từ chính phủ Trung Quốc và việc tăng cường nội địa hóa thiết bị sản xuất chip.
Do sự cạnh tranh ngày càng gay gắt đó, Samsung được cho là đã đẩy nhanh quá trình phát triển công nghệ flash NAND 900 lớp để duy trì vị thế dẫn đầu về công nghệ lâu dài.
