Samsung mở rộng hợp tác với tập đoàn ASML trong việc phát triển và sản xuất các dòng chip bán dẫn mới, đáp ứng nhu cầu của kỷ nguyên AI.
Samsung là một trong những nhà sản xuất chip bán dẫn lớn nhất thế giới và không ngừng nâng cao năng lực sản xuất chip qua từng năm. Mới đây, Samsung tiếp tục mở rộng hợp tác với tập đoàn ASML (tập đoàn hàng đầu thế giới về thiết bị sản xuất bán dẫn đến từ Hà Lan) trong việc phát triển và sản xuất các dòng chip bán dẫn mới, đáp ứng nhu cầu của kỷ nguyên AI.
Trong khuôn khổ hợp tác này, Samsung sẽ sử dụng thiết bị quang khắc High-NA EUV (Extreme Ultraviolet) của ASML. Đồng thời, Samsung cũng tham gia sáng kiến trong ngành nhằm chuyển sang sử dụng photomask kích thước 12 inch thế hệ mới, thay thế tiêu chuẩn 6 inch đã được sử dụng trong nhiều thập kỷ qua.
Sự chuyển đổi này được kỳ vọng sẽ giúp nâng cao năng suất của các nhà máy sản xuất chip (fab), giảm chi phí sản xuất và loại bỏ những hạn chế liên quan đến kỹ thuật stitching ở các tiến trình chip tiên tiến nhất. Samsung sẽ phối hợp chặt chẽ với các đối tác trong ngành để phát triển công nghệ photomask cũng như cơ sở hạ tầng cần thiết cho quá trình chuyển đổi.
Bên cạnh đó, Samsung cũng công bố kế hoạch đưa máy High-NA EUV vào sản xuất DRAM quy mô lớn từ năm 2028. Đây sẽ là lần đầu tiên công nghệ High-NA EUV được ứng dụng vào sản xuất DRAM trong ngành, qua đó mở rộng lộ trình thu nhỏ tiến trình bộ nhớ, đồng thời đơn giản hóa các công đoạn sản xuất và nâng cao hiệu quả.
Young Hyun Jun, Phó Chủ tịch kiêm CEO Samsung Electronics, cho biết kỷ nguyên AI đang đặt ra yêu cầu đổi mới trên toàn bộ chuỗi giá trị chip. Theo ông, việc mở rộng hợp tác với ASML sẽ tạo nền tảng để Samsung tiếp tục củng cố vị thế dẫn đầu trong lĩnh vực phần cứng AI và sản xuất chất bán dẫn trong tương lai.
Một số thuật ngữ chuyên môn có sử dụng trong bài
- High-NA EUV: công nghệ quang khắc cực tím EUV khẩu độ số cao.
- Photomask: mặt nạ quang khắc, có thể giữ nguyên “photomask” để bài công nghệ dễ đọc hơn.
- Fab: nhà máy sản xuất chip.
- Stitching: kỹ thuật ghép các vùng phơi sáng trong quá trình chế tạo chip.
- DRAM: bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động.
